摻鎵坩堝,顧名思義,即針對佑鑫石英摻鎵工藝單晶硅生長用石英坩堝,其在多次拉晶過程中,可提高引晶成功率、降低佑鑫石英收尾位錯以及降低硅棒氧含量,相對于普通工藝的石英坩堝而言,有更加優(yōu)秀的表現,同時也彌補了摻鎵工藝單晶硅拉制過程中需要在石英坩堝內摻入鋇粉帶來的缺點。